[caption id="attachment_157700" align="alignleft" width="200"] Rasim Məmmədov[/caption]
Möhtərəm prezidentimiz İlham Əliyev, dövlətimizin hərtərəfli tərəqqisində mühüm əhəmiyyət kəsb edən elm və təhsil sahələrinin inkişafına xüsusi diqqət və qayğı göstərir. Sevindirici haldır ki, ölkəmizdə təhsil sisteminin maddi-texniki bazası əsaslı qaydada yenidən qurulmuş və zəruri təlim-tədris vasitələrilə təmin edilmişdir. Prezident yanında Elmin İnkişaf Fondu yaradılmış və hər il bu fonda böyük məbləğdə dövlət vəsaiti ayrılır. Respublikamızda İnformasiya və Kommunikasiya Texnologiyalarının (İKT) inkişafının yüksək səviyyəyə çatması sayəsində, ölkəmiz “kosmik” ölkələr sırasına yüksəlmişdir. Ciddi ehtiyac duyulan elmi-tədqiqat işlərinin maniəsiz olaraq, nüfuzlu beynəlxalq Elmi Mərkəzlərlə üzvi əlaqədə aparılmasına geniş elektron imkanları yaranmışdır. Bu isə məqsədyönlü elmi axtarışlarda mühüm nailiyyətlərin eldə edilməsinə güclü təkan vermişdir.
Belə elmi uğurlardan biri, dünya Elm Mərkəzlərində son 50 - 60 ildə, ən müasir ölçü texnikaları və texnologiyaları vasitəsilə aparılan fundamental elmi-tədqiqat işlərinin obyektik real nəticələrindən İKT vasitəsilə yetərincə bəhrələnməklə, ölkəmizdə yerinə yetirilən elmi - tədqiqat işləri sayəsində aşkar edilmiş fizika üzrə yeni Elmi Kəşfdir. “Metal – yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranması” adlı bu Elmi Kəşf dünyada mövcud olan 200-dən artıq dövlətdən fərqli olaraq, inanılması çətin olsa da, faktiki Azərbaycanda qeydə alınmışdır (Azərbaycan Müəllif Hüququ Agentliyi, QN 05/R-6, 22.07.1999, Müəlliflik Şəhadətnaməsi № 65). Artıq, Azərbaycanın bu elmi yeniliyinin beynalxalq (ABŞ, Yaponya, Koreya, Rusiya, Ukrayna, Belarus, İran, Ermənistan və s. ) Elm və Texnika sahələrində istifadə olunması zərurəti sayəsində sensasiya xarakterli innovativ elmi nəticələr əldə edilmişdir.
Xarici ölkə mütəxəssisləri tərəfindən xüsusi diqqət yetirilən, Azərbaycanın elmi yeniliyi haqqında geniş informativ material, 2012 – ci ilin ilk günlərindən başlayaraq onlarla xarici internet saytlarında (www.nanometer.ru/news_list.html, www.people.su/70512, www.nanonewsnet.ru, www.novostinauki.ru/news/42839/ və s.) əvvəllər elmə məlum olmayan, ümumbəşəri əhəmiyyətə malik, mühüm elmi yenilik kimi yayılmışdır və yayılmaqda davam edir. Eyni zamanda, xarici mütəxəssislərin təşəbbüsü ilə, bu elmi yeniliyə aid mətbuatda dərc olunmuş çoxsaylı elmi məqalələr əsasında audio-vidio kliplər çəkilərək, müxtəlif internet saytlarında (www.YouTube, www.Fiziks, www.Dip-Cip, www.Vidiopakistan, www.Mikroelektronika və s. "Дополнительное электрическое поле в контакте" başlıqla) yerləşdirilib, mütəxəssis aparıcılar vasitəsilə geniş təbliğ edilir. Azərbaycanın elmi yeniliyi barəsində çoxsaylı internet saytlarında yayılan kommentariyalı informativ materiallardan birinin oriqinal mətni ilə internetdə bu ünvanda tanış olmaq olar: http://www.nanonewsnet.ru/articles/2012/yavlenie-dopolnitelnogo-elektricheskogo-polya-v-kontaktakh-metall-poluprovodnik.
Müasir elektron texnikasının inkişafında inqilabi dönüş yaratma imkanına malik olan, Azərbaycanın ümumbəşəri əhəmiyyətli, unikal elmi yeniliyi haqqında mətbuatda dərc olunmuş informativ material ABŞ-da Ağ Evin müvafiq bölmələrində mütəxəssis alim və mühəndislər tərəfindən ətraflı araşdırılmış və onun perspektivliyi haqqında məmnunedici rəy, Ağ Evdən bizim ünvanımıza göndərilmiş 04.06.2013 tarixli məktubla bildirilmişdir (www.azpolitika.info 09.10.2014 “ABŞ Prezidentinin Azərbaycanın elmi yeniliyinə münasibəti”).
Azərbaycanın elmi yeniliyi olan, metal – yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin (ƏES) yaranma hadisəsi, ilk dəfə olaraq Rusiya Federasiyasının Tomsk Dövlət Universitetinin, Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının alimləri tərəfindən, müasir Zond Mikroskopiya metodları ilə bilavasitə ölçülmüş, ətraflı elmi-tədqiqat işləri həyata keçirilərək, ƏES-nin bəzi mühüm və dərin elmi maraq kəsb edən, xarakterik xüsusiyyətləri təcrübi olaraq müəyyən edilmişdir (http://sun.tsu.ru/mminfo/2010/000396199/000396199.pdf). Bununla da, Elektron Texnikası sənayesində yarımkeçirici cihazların və mikrosxemlərin istehsalında, yarımkeçirici lövhələrin sərbəst səthlərinin mənfi təsirlərini aradan qaldırmaq üçün istifadə olunan, “səthin passivləşdirilməsi” kimi əlavə zəruri mürəkkəb texnoloji mərhələnin, indiyi kimi elmə məlum olmayan fiziki mahiyyətinə ƏES-in yaranması ilə əlaqədar əsaslı aydınlıq gətirilmişdir. Eyni zamanda, Zond Mikroskopiya metodlarının Elektron Texnikası sənayesində yeni təyinat istiqamətləri müəyyən edilmişdir,
Rusiya Federasiyasının Yarımkeçirici Cihazlar Elmi Tədqiqat İnstitunun və Tomsk Dövlət Universitetinin alim mütəxəssislərin birgə əməkdaşlığı sayəsində işıq enerjisini elektrik enerjisinə çevirən, ƏES-li yeni fotoelektrik çeviricilər (Günəş elementi) yaradılmışdır ki, onlar işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən 1000 (min) dəfə artırır (http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p965-973.pdf). Halbu ki, ənənəvi oxşar fotoelektrik çeviricilər (Günəş elementi), işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən cəmi təqribən 10 (on) dəfə artırır. Digər məlumatda isə bildirilir ki, ƏES-nin təsiri nəticəsində metal – yarımkeçirici kontakt əsasında hazırlanmış fotoelektrik çeviricilərin həssaslığı gərginliyə görə 50% və cərəyana görə isə 50 dəfə artır (“Microwave and Telecommunication Technology” 21th International Crimean Conference Publications, 2011, p.699). Eksperimental olaraq əldə edilmiş belə sensasiya xarakterli elmi nəticələr fotoelektrik çeviricilərə aid mövcud nəzəriyyələrlə izah oluna bilmədiyi halda, metal – yarımkeçirici kontaktlarda ƏES ilə müəyyən olunan yeni elmi nəzəriyyə ilə əsaslı qaydada izah olunur. Bu isə göstərir ki, yarımkeçirici çevricilərdə məlum ənənəvi mexanizmlərindən fərqli olan, yeni, ƏES mənşəli daha effektli alternativ mexanizmi də mövcuddur (http://www.nanometer.ru/2009/04/08/preobrazovatel_barer_shottki_diod_shottki_153822.html).
İnsan fəaliyyətinin bütün sahələrində geniş istifadə olunan müxtəlif növ elektron qurğularının əsas komplektləşdirici elementlərindən biri yarımkecirici diodlardır (bir tərəfli keçereciliyə malik olan cihaz). Yarımkeçirici cihazlar fizikasının mövcud fundamental nəzəriyyələrinə görə, ənənəvi yarımkeçirici diodlarda əks istiqamətdə cərəyan axını mövcud olur və bu da onların işinə mənfi təsir göstərir və enerji itkisinə səbəb olur. Real metal – yarımkeçirici kontaktlarda baş verən elektron proseslərinin nəzəri araşdırılması nəticəsində müəyyən edilmişdir ki, xüsusi konstruktiv qurluşa malik olan metal – yarımkeçirici kontaktlarda ƏES-nin təsir imkanlarından məqsədyönlü istifadə edilməsi, əks cərəyanı mövcud olmayan, yüksək keyfiyyətli yarımkeçirici diodlar (Şottki diodları) hazırlanmasına imkan verir. Artıq, eksperimental olaraq əks cərəyanı mövcud olmayan xüsusi konstruksiyalı yarımkeçirici diodlar hazırlanmış və onların xarakterik parametrləri müəyyən edilmişdir (J. Microelectronics Reliability, 2012, v.52, № 2, p.418; J.Superlattices and Microstructures, 2013, v.60, p.300). Bu isə o deməkdir ki, ənənəvi yarımkeçirici diodlarda düzləndirmə hadisəsinin məlum klassik nəzəriyyələrilə yanaşı, onlardan fərqli olan, ƏES mənşəli alternativ nəzəriyyə də mövcuddur ki, bu da yeni nəsil yarımkeçirici cihazların və iteqral sxemlərin hazırlanmasının elmi əsasını təşkil edir (http://www.nanometer.ru/2009/04/15/realnij_kmp_potencialnij_barer_diod_shottki_154257.html).
Müasir elektron qurğularını elektrik enerjisi ilə təmin edən qida mənbələrinin əsas hissəsi olan düzləndirici bloklar, əsasən, digər növ yarımkeçirici diodlarla müqaisədə bir sıra üstünlüklərə malik olan, müstəvi Şottki diodlarından hazırlanır. İKT-nin inkişafı ilə əlaqədar olaraq, güclü kompüter sistemlərinin yaradılması üçün, onların elektrik qida mənbələrinin texniki göstəricilərinin yüksəldilməsi problemi hazırda intensiv tədqiq olunur. Artıq, Amerika alimlərinin səyi naticəsində, xüsusi konstruktiv-texnoloji metodlarla, müstəvi Şottki diodlara alternativ olan, yüksək keyfiyyətli, mikro və nanoqurluşlu konstruksiyaya malik ƏES-li Şottki diodları hazırlanmışdır. Yüksək texniki göstəricilərə malik olan bu diodlar ədəbiyyatda “Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) rectifier” və ya “TMBS diode ” adları ilə geniş yayılmışdır. Hazırda, müasir “Trench Technology” ilə hazırlanaraq, ABŞ, Yaponiya, Koreya və digər dövlətlərin patentlərini almış, çoxsaylı müxtəlif konstruksiyalı TMBS diodlar, geniş həcmdə istehsal olunur (www.Vishay.com). Maraqlı cəhət ondan ibarətdir ki, TMBS diodların səciyyəvi xüsusiyyətləri yarımkeçirici cihazlar fizikasının mövcud nəzəriyyələri ilə izah oluna bilmədiyi halda, ƏES-li real Şottki diodların fiziki model və nəzəriyyəsi ilə əsaslı izah oluna bilir. Bu isə göstərir ki, TMBS diodlarda ƏES-si bütövlüklə kontaktaltı hissədə yerləşdiyi üçün, onlarda baş verən elektron prosesləri əsasən ƏES vasitəsilə baş verir. (http://static.bsu.az/w10/pdf/VESTNIK%20BU-2014-3.pdf). Belarus Dövlət İnformatika və Radioelektronika Universitetinin alimləri ƏES-li TMBS diodların elektrik xüsusiyyətlərinin tədqiqi sayəsində belə qənaətə gəlmişlər ki, bu diodlar üçün xarakterik olan, əks cərəyanının sıçrayışla axmağa başlaması (sensasiya xarakterli innovativ elmi nəticə), onlarda ƏES-nin varlığını göstərən “vizit kartı” hesab oluna bilər (http://referat.vak.org.by/index.php?go=Files&file=down&id=22653).
Elmi-texniki tərəqqinin böyük nailiyyətlərndən olan Nanotexnologiyanın imkişafı ilə əlaqədar olaraq yüksək keyfiyyətli diskret yarımkeçirici cihazların və inteqral sxemlərin komplektləşdirici elementlərinin nanoqurluşlar əsasında yaradılmasına böyük diqqət yetirilir. Müəyyən edilmişdir ki, nanoqurlüşlü cihazlarda baş verən elektron proseslərdə, bir sıra hallarda klassik fizikanın nəzəriyyələrindən kənara çıxmalar müşahidə olunur. Böyük elmi-praktiki əhəmiyyət kəsb edən innovativ xarakterli belə nəticələr kifayyət qədər ciddi elmi maraq doğurur. Bu baxımdan, Belarus MEA-nın Materialşunaslıq İnstitutunun, Kazan Fizika-Texnika İnstitutunun və Ermənistan MEA-nın Fiziki Tədqiqatlar İnstitutunun alimlərinin birgə tədqiqatları nəticəsində silisium əsaslı ƏES-li nanodurluşlarda aşkar edilmiş xarakterik xüsusiyyətlər böyük maraq kəsb edir. Onlar müəyyən etmişlər ki, ənənəvi yarımkeçirici diod əsaslı “elektron açarlardan” fərqli olaraq, ƏES-li nanoqurluşlu “elektron açarlar” bağlı rejimdə olduqda cərəyan axını mövcud olmur, açıq rejimdə olduqda isə cərəyan (http://elib.bsu.by/bitstream/123456789/108420/1/p.189-191.pdf) sıçrayışla axmağa başlayır. ƏES-li nanoqurluşlu “elektron açar”-larda müşahidə olunan belə səciyyəvi xüsusiyyətlər, yarımkeçirici diodların mövcud nəzəriyyələri ilə izah oluna bilmədiyi halda, ƏES-li real Şottki diodların fiziki model və nəzəriyyəsi ilə əsaslı izah olunur.
Azərbaycan elmi yeniliyi, elektron texnikasının əhatə etdiyi sahələrlə yanaşı, digər elm səhələrində də, elmi-praktiki baxımdan mühüm əhəmiyyət kəsb edən problemlərin həlli üçün də faydalı olduğu müəyyən edilmişdir. Kuban Dövlət Texnologiya Universitetinin əməkdaşları, mexaniki qurğularda “metal kolotka – polimer lent” cütlüyü vasitəsilə friksion ötürmələrdə tormozlama prosesi zamanı materialların köhnəlməsinin və sıradan çıxmasının manitorinqinin keçirilməsi metodikasını, metal-polimer mikrokontaktlarda yaranan ƏES-sindən istifadə etməklə hazırlamışlar (http://www.ej.kubagro.ru/2014/07/pdf/106.pdf). İvano-Frankovski Milli Texniki Neft və Qaz Universitetinin alimləri neft-qaz buruqlarının qazma qurğularında geniş istifadə olunan “metal – polimer” cütlüyü ilə friksion ötürmələr prosesində friksion materialların yararsız hala düşmə problemini aydınlaşdıran yeni nəzəriyyəni metal-polimer mikrokontaktlarda yaranan ƏES-sindən istifadə etməklə hazırlamışlar (J.Проблеми тертя та зношування, 2014, 1 (62)). Kimya sahəsi üzrə Ukrayna Çernovets Milli Universitetinin alimlərinin kristalların elektrod potensiallarının tədqiqində (http://www.lnu.edu.ua/faculty/Chem/visnyk_2012/6_FX.pdf) və Kuban Dövlət Universitetinin alimlərinin metal-üzvi yarımkeçirici kontaktlarda üzvü maddə molekullarının klaster qurluşunun təsiri ƏES-dən istifadə edilməklə aydınlaşdırılmışdır (http://www.phiz-math.ingnpublishing.com/files/2012/PhM/esj_phm_2013_1(11)_Makisimova_AA.pdf ).
Azərbaycan elmi yeniliyi, mövcud yarımkeçirici cihazların təkmilləşdirilməsinin və yeni sinif yarımkeçirici cihazların yaradılmasının müasir elmi əsasını təşkil edərək, “Əlavə elektrik sahəli metal – yarımkeçirici kontakt fizikası” adli yeni elmi istiqamət açmışdır. Dünya ədəbiyyatında ilk və yeganə olan “R.Q.Məmmədov, Əlavə elektrik sahəli metal – yarımkeçirici kontaktlar, Bakı, BDU, 2003, 231 s.” adlı rus dilində yazılmış monoqrafiya xarici ölkələrin Elm və Təhsil sistemində monoqrafiya və dərslik kimi geniş istifadə olunur (http://nashaucheba.ru).
Azərbaycanın intelektual mülkiyyəti olan, ümumbəşəri əhəmiyyətli fizika üzrə yeni Elmi Kəşf haqqında geniş elmi-populyar məqalələr “Respublika” qəzetinin 29.04.2012 tarixli nömrəsində (“Müasir elmdə Azərbaycanın yeni parlaq səhifəsi”), “Yeni Azərbaycan” qəzetinin 20.09.2012 tarixli nömrəsində (“Ümumbəşəri əhəmiyyətli yeni azərbaycan elmi”) dərc olunmuşdur və AMEA-nın Fizika İnstitutunun 04.04.2012 tarixli elmi seminarında “Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktların səciyyəvi xüsusiyyətləri” adlı məruzə geniş müzakirə edilmişdir.
Azərbaycan elminin beynəlxalq aləmdə sensasiyalar yaradan innovativ nəticələri, ölkəmizdə xüsusi diqqət və qayğı göstərilən “Yüksək Texnologiyalar Parklarının” yaradılması, "Azərbaycan Təhsilinin İnkişafı üzrə Dövlət Strategiyası"inda nəzərdə tutulan tədbirlərin həyata keçirilməsi, İnnovasiya yönümlü və İnvestisiya tutumlu Elektron Texnikası sənaye məhsullarının istehsal sahələrinin yaradılması və müasir Elektron Texnikasının əhatə etdiyi elm və təhsil sahələri üzrə yeni dərsliklər, dərs vəsaitləri, monoqrafiyalar yazılması üçün çox yararlıdır.
Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru,
professor Məmmədov Rasim Qara oölu
E-mail. rasimaz50@yahoo.com
Şərhlər