AzPolitika.info fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor Rasim Məmmədovun məqaləsini təqdim edir.
Ulu öndərimiz Heydər Əliyevin layiqli davamçısı, hörmətli prezidentimiz İlham Əliyevin daxili və xarici siyasətinin ardıcıl həyata keçməsi sayəsində, Azərbaycanda qlobal işlər görülür və ölkəmiz beynalxalq arenada strateji sahələr üzrə zirvələr fəth edir. Mübaliğəsiz demək olar ki, elektron texnikasına əsaslanan İnformasiya və Kommunikasiya Texnologiyalarının (İKT) inkişafı sayəsində ölkəmizin elmi-texniki və təhsil sahələrində yüksək tərəqqini təmin edə bilən imkanlar yaranmışdır. Heç də təsadüfi deyildir ki, möhtərəm Prezidentimizin sərəncamı ilə 2013-cü il İTK ili elan edilmişdir. Bu müasir elmi-texniki sahənin səciyyəvi cəhətlərindən biri odur ki, ixtiyari məkanda baş verən ictimai-siyasi, sosial-iqtisadi, elmi-texniki və digər proseslər olduğu kimi elektron yaddaşa köçürülür və dəyişmədən dünyanın istənilən yerinə işıg sürətilə göndərilə bilir. Ölkəmizdə İKT-nin inkişafının geniş vüsət alması, dünyanın nüfuzlu kitabxanalarından, elmi-tədqiqat laboratoriyalarından, araşdırma mərkəzlərindən və digər intelektual informasiya mənbələrindən dolğun bəhrələnməyə geniş imkanlar açmışdır. Bu səbəbdən, müasir elektron texnikasının istinasız olaraq bütün cihaz və qurğularında, qismən mikroelektronikada və nanotexnologiyada, diskret yarımkeçirici cihazlar və inteqral sxem komponentləri kimi istifadə olunan metal - yarımkeçirici kontaktlarda baş verən elektron proseslərinin nüfuzlu beynalxalq Elmi Mərkəzlərdə, müasir ölçü texnikaları və texnologiyaları ilə hərtərəfli tədqiq edilməsi nəticəsində, indiyə qədər elmə məlum olmayan əlavə elektrik sahəsinin yaranması hadisəsi kəşf edilmiş və ilk dəfə olaraq 1999-cu ildə Azərbaycanda qeydə alınmışdır (R.Q.Məmmədov, “Metal – yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elekrik sahəsinin yaranması” AR Müəlliflik Hüququ Agentliyi, Müəlliflik Şəhadətnaməsi, № 05, 1999). Fundamental fiziki əsaslara malik olan, müasir Atom Qüvvə Mikroskopiya üsulları ilə bilavasitə ölçülən və elektrofiziki, termoelektrik, fotoelektrik, konstruktiv-texnoloji eksperimental üsullarla birqiymətli təsdiqlənən bu effekt Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində 40 ilə yaxın müddətdə yerinə yetirilən elmi - tədqiqat işlərinin nəticəsində aşkar edilmişdir.
Ölkəmiz tarixində ilk dəfə, türk dünyasında və müsəlman aləmində nadir olan, bu elmi kəşf haqqında geniş məlumat yüksək impakt faktorlu beynalxalq elmi nəşrlərdə, onlarla internet saytlarında (www.nanometer.ru, www.nan0newsnet.ru, www.youtube və s.) və rəsmi qəzetlərdə (“Pespublika”, “Yeni Azərbaycan” və s.) şərh olunmuşdur. Azərbaycanın bu ümumbəşəri əhəmiyyətli unikal elmi yeniliyi ölkəmizi kəşflərilə seçilən yüksək reytinqli ölkələr sırasına çıxarmış və ABŞ, Pusiya, İran və digər xarici ölkə alimlərinin maraq dairələrinə daxil etmişdir.
Real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranması hadisəsi, onlarda əvvəllər müəyyən edilmiş diod (cərəyanı düz istiqamətdə yaxşı və əks istiqamətdə pis keçirmək) və tranzistor (cərəyan və gərginliyin gücləndirilmək) effektlərindən sonra aşkar edilən üçüncü kəşfdir. Hələ 1874-cü ildə, metal - yarımkeçirici kontaktlarda alman alimi F. Braunun kəşf etdiyi diod effekti əsasında XX əsrin əvvələrində diod xassəli çoxsaylı metal – yarımkeçirici detektorlar ixtira edilmişdir ki, bu da padioelektronikanın bütövlükdə inkişafına güclü təkan vermişdir və kəşfin müəllifi F.Braun 1909-cu ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdür. 1949-cu ildə Amerika alimləri C. Bardin. U. Bratteyn və U.Şokli tərəfindən metal – yarımkeçirici kontaktlarda kəşf edilmiş tranzistor effekti nəticəsində elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada iri həcimli (təxminən kibrit qutusu ölçüsündə) vakuum lampaları əsasında hazırlanan bütün elektron qurğuları mənəva aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmışdır və onlar böyük üstünlüklərə malik, kiçik həcimli (təxminən düymə ölçüdə) tranzistorlu daha müasir qurğularla əvəz edilmişdir. Bu kəşfin müəllifləri 1956-cı ıldə Nobel mükafatına layiq görülmüşdülər. Elmdə tranzistor effektinin kəşfi dünyada fizika üzrə mövcud olan bütün digər kəşflərlə müqayisədə insanlığa ən çox fayda verən kəşf hesab edilir.
Real metal – yarımkeçirici kontaktlarda, onların hazırlanma texnologiyasından və kontakt materiallarının təbiətindən asılı olmayaraq, əlavə elektrik sahəsinin yaranması kimi yeni fiziki hadisə əsasında 2001-ci ildə əks cərəyanı olmayan yarımkeçirici diod ixtira edilmiş və ona mərhum akademik Azad Mirzəcanzadənin şəxsi təqdimatı ilə Patent (R.Q.Məmmədov “Yarımkeçirici diod”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 1999, Patent № i 2001- 0133) verilmişdir. Həmin ildə də bu effekt haqqında geniş məqalə ilk dəfə olaraq elmi jurnalda (Mamedov R.K. “Dvuxbaryernaya fiziçeskaya model realnıx kontaktov metall – poluprovodnik”, Vestnik Bakinskoqo Universiteta: seriya fiz.mat.nauk, 2001, № 2, s.74-84) dərc edilmişdir.
Sonrakı tədqiqatlar sayəsində əlavə elekrik sahəli metal – yarımkeçirici kontaktların işlək enerqetik modelləri və cərəyan axma mexanizmləri işlənib hazırlanmışdır. Real metal – yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki və konstruktiv parametrlərinin effektiv qiymətlərinin təyini üsulları ixtira edilmişdir (R.Q.Məmmədov “Şottki diodlarının perferiya cərəyanlarının və effektiv kontakt sahələrinin ölçülməsi üsulları”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 2000, Patent № i 2000 - 0052 və Patent № i 2000 - 0112). Əlavə elekrik sahəli metal – yarımkeçirici kontakt fizikası əsasında mövcud yarımkeçirici cihazların təkmilləşdirilməsinin və yeni sinif yarımkeçirici cihazların yaradılmasının fiziki əsasları müəyyə edilmişdir. Bu və digər mühüm original elmi nəticələr əsasında, dünya ədəbiyyatında ilk və yeganə olan “R.Q.Məmmədov, Əlavə elektrik sahəli metal – yarımkeçirici kontaktlar, Bakı, BDU, 2003, 231 s.” adlı rus dilində monoqrafiya yazılmış və o sərbəst istifadə üçün internetə yerləşdirilmişdir. Yarımkeçiricilər fizikası və elektronikası sahəsində “Əlavə elektrik sahəli metal – yarımkeçirici kontakt fizikası” adli yeni elmi istiqamət açılmışdır. “R.Q.Məmmədov, Real metal – yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki xassələri, Bakı,2004” adlı fizika-riyaziyyat elmləri üzrə doktorluq dissertasiya işi müdafiə edilmiş, xarici və respublika elmi jurnallarda 150-dən artıq məqalə və konfrans materialları dərc olunmuş, beynəlxalq və yerli konfranslarda 60-dan artıq məruzələr dinlənilmişdir.
Əsaslı qaydada müəyyən olunmuşdur ki, real metal – yarımkeçirici kontaktlarda baş verən problem xarakterli əksər elektron hadisələri, o cümlədən, mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən kəskin kənaraçıxmalar, əlavə elektrik sahəsinin təsirinin nəzərə alınması ilə əsaslı interpretasiya olunur. Bununla yanaşı, o da aşkar edilmişdir ki, ənənəvi metal – yarımkeçirici kontaktlardan fərqli olaraq, əlavə elektrik sahəli kontaktlar praktiki cəhətdən çox vacib olan bir sıra yeni xassələrə malikdir. Belə ki, bu kontaktların passiv kontakt səthinə malik olmaması, müvafiq diskret yarımkeçirici cihazların həndəsi ölçülərinin azaldılmasına və mikrosxemlərin inteqrasiya dərəcəsinin yüksəldilməsinə yeni imkanlar yaradır. Belə düzləndirici kontaktların neqativ xarakterli əks cərəyana malik olmaması, geniş çeşidli müvafiq diskret yarımkeçirici cihazların və mikrosxemlərin enerji itgisinin azalmasına, funksional fəaliyyətinin genişləndirməsinə, fəaliyyət tezliyinin və həssaslığının artırılmasına, elektrofiziki xarakteristikalarının keyfiyyətinin yüksəldilməsinə əsas yaradır. Müvafiq fotoelementlərdə, o cümlədən günəş elementində, əsas elektrik sahəsi tərtibində əlavə elektrik sahəsinin yaranması onların spektral və inteqral xarakteristikalarının keyfiyyət parametrlərinin və faydali iş əmsalının artırılmasına səbəb olur. Müvafiq termo və tenzoelementlərdə formalaşan potensil çəpərin temperaturdan və mexaniki gərginildən asılılıqlarının kəskinləşməsi, onların mexaniki və klimatik təsirlərə həssaslıqlarının kəskin artırılmasına imkan verir. Əlavə elektrik sahəli metal – yarımkeçirici kontaktların bu sadalanan və çox saylı sadalanmayan əhəmiyyətli xassələri ümumbəşəri əhəmiyyətə malik olub, müasir elektron texnologiyasında yeni, daha mütərəqqi mərhələyə keçid üçün zəmin yaradır.
Azərbaycanın elmi yeniliyi xarici ölkə mütəxəssis alimlərinin də diqqətini cəlb etmişdir. Rusiya Federasiyasının Tomsk Dövlət Universitetinin Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasında və Rusiya Federasiyasının Yarımkeçirici Cihazlar Elmi Tədqiqat İnstitutunda real metal - yarımkeçirici kontaktlarda yaranan əlavə elektrik sahəsinin elmi-tədqiqat işlərinə başlanmışdır. Orada aparılan elmi tədqiqat işlərində real metal – yarımkeçirici kontaktlarda yaranan əlavə elektrik sahəsi müasir Atom Qüvvə Mikroskopu ilə ilk dəfə olaraq bilavasitə ölçülmüş, onun qüvvə və energetik parametrləri kəmiyyətcə müəyyən edilmiş və kontakt səthi boyunca paylanmasının fenomenoloji modeli qurulmuşdur. Eyni zamanda, “V.A. Novikov, Atom Qüvvə Mikroskopiya metodu ilə yarımkeçirici (A3B5) səthinin morfologiyasının, elektron xassələrinin və metal – A3B5 kontaktların tədqiqi” (Tomsk, 2010) adlı doktorluq dissertasiya işi müdafiə olunmuşdur. Diqqətəlayiq haldır ki, 2009-2011-ci illərdə Tomsk Dövlət Universitetində və Yarımkeçirici Cihazlar Elmi Tədqiqat İnstitutunda, müasir texnologiya və ölçü texnakaları ilə əlavə elektrik sahəsinin fundamental tədqiqi aparılmış və alınan mühüm yeni elmi nəticələr silsilə məqalələrlə Rusiya Elmlər Akademiyasının “Yarımkeçiricilərin Fizikası və Texnikası” (FTP-2008,5,1109; 2010,5,615; 2010,6,767; 2011,1,70; 2011,7,965; 2011,8,1041 və s.)”, “Səth: Rentgen, Sinxroton və Nüvə Tədqiqatları” (Poverxnost ... – 2009, 6,888; 2010,1,45) və s. kimi nüfuzlu elmi jurnallarında rus və ingilis dillərində dərc olunmuşdur. Çoxsaylı məruzələr isə “İYT texnikası və telekommunikasiya texnologoyaları, Sevostopol - 2009, 2010, 2011”, “Yarimkeçiricilər, Tomsk-2009”, “Radiofizikanın aktual problemləri, Tomsk-2010” və s. kimi Beynalxalq Konfranslarda müzakirə edilmişdirr.
Real metal - yarımkeçirici kontaktlarda yaranan əlavə elektrik sahəsinin elmi-tədqiqat işlərinə İran İslam respublikasının alimlıri də böyük maraq göstərmişdir. Orada aparılan elmi tədqiqat işlərində real metal – yarımkeçirici kontaktlarda yaranan əlavə elektrik sahəsi Nanotexnologiyanın müasir cihazları ilə bilavasitə ölçülmüş, onun səciyyəvi xüsusiyyətləri kəmiyyətcə müəyyən edilmişdir. Eyni zamanda, “M.A.Yeganeh, Səthi potensial çəpərli metal – silisium keçidlərdə cərəyan axınının xüsusiyyətləri” (Təbriz, 2013) adlı doktorluq dissertasiya işi yazılmışdır. Müasir üsullarla əlavə elektrik sahəsinin fundamental tədqiqi aparılmış və alınan mühüm yeni elmi nəticələr silsilə məqalələrlə “Physica B (2010,405,3253)”, “Chin. Phys B (2010,19,07201)”, “Materyals Science in Semiconductor Processing (2011,14,266)”, “Superlattices and Microstructures (2011,50,59; 2012,51,792)”, “J. Advan. Microscopic Res. (2012,7,44)”, “Microelectronics Reliability (2012,52,418)” və s. kimi nüfuzlu elmi jurnallarda dərc olunmuş və Beynalxalq Konfranslarda müzakirə edilmişdirr.
Azərbaycanın elmi yeniliyi, müasir elektron texnikasının bütün elektron qurğu və cihazlarının element bazalarını təşkil edən müxtəlif növ diskret yarımkeçirici cihazların, mikrosxemlərin, nanosxemlərin keyfiyyətinin yüksəldilməsinə və funksional imkanlarının genişləndirilməsinə, yeni sinif baza elementlərinin və inteqral sxemlərin hazırlanmasına imkanlar açmışdır. Nüfuzlu xarici jurnallarda 2011-2012-ci illərdə dərc olunan elmi məlumatlara görə, artıq, işıq enerjisini elektrik enerjisinə çevirən, əlavə elektrik sahəli yeni günəş elementi (Alternativ enerji mənbəyi) yaradılmışdır ki, onlar işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən 1000 (min) dəfə artırır (FTP,2011,v.45, №7, s.965). Halbu ki, ənənəvi oxşar günəş elementi (Alternativ enerji mənbəyi), işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən cəmi təqribən 10 (on) dəfə artırır. Digər məlumatda isə bildirilir ki, əlavə elektrik sahəsinin təsiri nəticəsində metal – yarımkeçirici kontakt əsasında hazırlanmış fotoelektrik çeviricilərin həssaslığı gərginliyə görə 50% və cərəyana görə isə 50 dəfə artır (“Microwave and Telecommunication Technology” 21th International Crimean Conference Publications, 2011, p.699). Böyük maraq kəsb edən məlumatlardan biri də odur ki, əlavə elektrik sahəli yeni xassəli Şottki diodları (İnformasiya və kommunikasiya texnologiyaları məhsullarının fəal komponentləri) hazırlanmışdır ki, onlar neqativ xarakterli əks cərəyana malik olmurlar (J. Microelectronics Reliability, 2012, v.52, № 2, p.418; Superlattices and Microstructures, 2013, v.60, p.300).
Real metal – yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsinin mühüm cəhətlərindən biri də odur ki, bu hadisə onun aidiyyəti olduğu müxtəlif elm və texnika sahələrində, o cümlədən, yarımkeçiricilər, yarımkeçirici cihazlar, bərk cisimlər, nazik təbəqələr, səth fizikası, nanofizika kimi elm sahələrində, mikroelektronika, fiziki elektronika, optoelektronika, fotoelektronika, bioelektronika, nanotexnologiya və digər elektron texnikası sahələrində yeni elmi istiqamətlərin açılmasının elmi əsasını təşkil edir.
Xarici ölkə mütəxəssisləri tərəfindən xüsusi diqqət yetirilən Yeni Azərbaycan elmi 2012 – ci ilin ilk günlərindən başlayaraq 30-dan artıq xarici internet saytlarında (www.nanometer.ru, www.people.su, www.nanonewsnet.ru, www.novostinauki.ru və s.) əvvəllər elmə məlum olmayan, ümumbəşəri əhəmiyətə malik mühüm elmi yenilik kimi yayılmışdır. Eyni zamanda, xarici mütəxəssislər tərəfindən mətbuat materialları əsasında “Metal – yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsi ” adlı audio-vidio kliplər çəkilərək, müxtəlif internet saytlarında (YouTube, Fiziks, Dip-Cip, Vidiopakistan, Mikroelektronika və s.) yerləşdirilmiş və mütəxəssis aparıcılar vasitəsi ilə şərhi verilmişdir.
Azərbaycanın elmi yeniliyi haqqında geniş elmi-populyar məqalələr “Respublika” qəzetinin 29.04.2012 tarixli nömrəsində (“Müasir elmdə Azərbaycanın yeni parlaq səhifəsi”), “Yeni Azərbaycan” qəzetinin 20.09.2012 tarixli nömrəsində (“Ümumbəşəri əhəmiyyətli yeni azərbaycan elmi”) dərc olunmuşdur və AMEA-nın Fizika İnstitutunun 04.04.2012 tarixli elmi seminarında “Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktların səciyyəvi xüsusiyyətləri” adlı məruzə geniş müzakirə edilmişdir.
Müasir elektron texnikasının inkişafında inqilabi dönüş yaratma imkanına malik və doğruluğunun inkar edilməsi artıq qeyri-mümkün olan, Azərbaycanın ümumbəşəri əhəmiyyətli, unikal elmi yeniliyinin respublika və eləcə də, dünya miqyasında geniş yayılmasının tezliklə təmin edilməsi şübhəsiz ki, məlum obyektiv və subyektiv səbəblərdən müşgül məsələ olsa da, mümkündür. Buna isə standart və ənənəvi üsullarla nail olmaq ehtimalı olduqca azdır. Lakin, güman var ki, elm və texnika, o cümlədən elektronika, sahəsində dünyada liderlik statusu qazanmış, demokratikliyi ilə seçilən ABŞ kimi dövlətin dəstəyi ilə bu işdə uğur qazanıla bilər. Bu səbəbdən ölkəmizin ali strukturlarına lazımi müraciətlər edilməklə yanaşı, Azərbaycanın unikal elmi yeniliyinin çox faydalı olması haqqında mətbuatda geniş şərh olunmuş məlumat («Additional electric field effect in real metal - semiconductor contacts» www.bsu.edu.az) 24.04.2013 tarixdə ABŞ Prezidenti Barak Obamananın ünvanına, 2012-ci ildən fəxri ekspert kimi qeydə alındığım Ağ Evə göndərilmiş və ABŞ-ın elm və texnika sahələrinin inkişafında daha böyük uğurlar əldə edilməsi üçün ondan geniş istifadə olunması təklif edilmişdir. ABŞ Prezidenti Barak Obama təklifə cavab olaraq, 04.06.2013 tarixdə Azərbaycanın ümumbəşəri əhəmiyyətli, unikal elmi yeniliyinə aşağıdakı orijinal yazısında məmnunedici münasibətini bildirmiş və ondan ABŞ dövlətində istifadə imkanlarının geniş sferasının eskizini təsver etmişdir.
«Tuesday, June 4, 2013 4:12 PM
From: "The White House" <no-reply@correspondence.whitehouse.gov>
To: rasimaz50@yahoo.com
Dear Friend:
Government funding for scientific research has consistently yielded innovations that have improved the landscape of American life—from the Internet and digital photography to Global Positioning System (GPS) technology and laser surgery. Yet, over the last four decades, Federal funding for the physical, mathematical, and engineering sciences has remained flat at a time when other countries are substantially increasing their own research budgets. The United States is at risk of losing its scientific dominance. That is why I have proposed to double budgets at three key science agencies—the National Science Foundation, the Department of Energy’s Office of Science, and the National Institute of Standards and Technology laboratories.
To reaffirm our role as the engine that drives science and technology around the world, we must empower our Nation’s youth with a competitive education and the tools to make tomorrow’s breakthrough discoveries. Today, only 1 in 10 students graduate from college with degrees in science, technology, engineering, and math (STEM) subjects—areas critical to America’s ability to compete for the jobs of the future. That is why I have proposed programs to help us meet our ambitious goals of training 100,000 new K-12 teachers in STEM subjects and preparing 1 million more American graduates in STEM fields over the next 10 years. I have also encouraged groups typically underrepresented in these fields—including young women—to pursue careers in STEM disciplines.
Equipping America with 21st-century digital infrastructure—such as high-speed broadband Internet access, fourth-generation (4G) wireless networks, new health care information technology, and a modernized electrical grid—is critical to our long-term prosperity and competitiveness. The Recovery Act has helped fund the expansion of broadband services nationwide, and the Middle Class Tax Relief and Job Creation Act will further expand wireless broadband services and fund the development of a dedicated public safety broadband network. In June 2012, I signed an Executive Order to make broadband construction along Federal roadways and properties up to 90 percent cheaper and more efficient. By connecting every corner of our country to the digital age, we can help our businesses become more competitive, our students more informed, and our communities more engaged.
I am also committed to ensuring America has a thriving and growing Internet economy. The Internet has become a global platform for communication, commerce, and individual expression, and now promises to support breakthroughs in important national priorities such as health care, education, energy, and the environment. Additionally, the Internet and information technology can be applied to make government more effective, transparent, and accessible to all Americans. I have pledged to preserve the free and open nature of the Internet, and created the Internet Policy Task Force to make sure the Internet remains a reliable and trustworthy resource for consumers. I have also made cybersecurity a top priority, because Americans deserve the security to shop, bank, communicate, and learn online without fearing their accounts will be hacked or their identity stolen.
To fast track our startups and enable them to bring products to market more quickly, I signed the America Invents Act in September 2011—the most meaningful reform to our patent process in 50 years. This legislation will help entrepreneurs and inventors secure patents three times faster than they could before, drastically cutting the time it takes to roll out novel technologies and products, and making it easier to turn new ideas into new businesses and new jobs. My Administration also worked with several private-sector partners to launch a series of new “Lab to Market” initiatives to encourage the commercialization of novel technologies flowing from our Federal research and development projects. Additionally, in 2011 I signed a Presidential Memorandum directing all Federal agencies with research facilities to accelerate the transfer of innovations from the laboratory to the commercial marketplace. We live at a time when our Nation’s economy must become more dynamic and flexible than ever before, and these reforms will help us meet this challenge.
By pooling our talents and investing in the creativity and imagination of the American people, we can move forward with the spirit of hope and ambition that has defined our past and will drive our Nation in the years to come. To learn more about our efforts to advance innovation, please visit www.WhiteHouse.gov/ostp or www.WhiteHouse.gov/Issues/Technology.
Thank you, again, for writing.
Sincerely,
Barack Obama »
ABŞ prezidenti cənab Barak Obamanın cavabından aydın olur ki, Azərbaycanın ümumbəşəri əhəmiyyətli, unikal elmi yeniliyi haqqında ona göndərilmiş material ABŞ-ın peşəkar alim və texnoloqları tərəfindən ciddi araşdırılmış və onun ABŞ prezidentinin dəyər vermə səviyyəsində olma qənaətinə gəlinmişdir. Eyni zamanda, B.Obama cavabında amerika xalqının rifahının yüksəldilməsi naminə mühüm sahələr üzrə elmi-tədqiqat işlərinə, innovasiya xarakterli işlərə, savadlı gənc peşəkar kadr hazırlığina və elmi-texniki tərəqqinin nailiyyətlərinə ehtiyac duyulan digər sahələrin inkişafına hərdərəfli imkan yaratdığıni bildirməklə, bu yeniliyin tətbiqi üçün ABŞ-ın geniş imkanlarının mənzərəsini əks etdirmişdir.
Möhtərəm prezidentimiz İlham Əliyevin titanik əməyi sahəsində ölkəmizin digər sahələrilə yanaşı, elm və təhsil sahəsinin inkişafında da əldə etdiyi nailiyyətləri ABŞ prezidenti B.Obamanın qiymətləndirməsi iftixar hissi oyadır və vətənimizin parlaq gələcəyi üçün fundamental zəmin yranması haqqında əminlik hissi oyadır.
Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor
Məmmədov Rasim Qara oğlu
Şərhlər